中華人民共和國國家標準(中國大陸GB標準)英文版 |
 |
GB標準是中華人民共和國國家標準，也叫GB國標，是中國大陸強制執行的國家標準，所有中國大陸境內銷售的商品及提供服務都必須符合GB國家標準的要求，包括進口商品及服務； 本網站提供GB國家標準的查詢檢索，英文版翻譯，GB標準產品檢測檢驗及合規性分析服務； |
 |
GB/T 4023.4-2026 半导体分立器件 第4部分：微波二极管和晶体管（中英文版） Semiconductor Discrete Devices—Part 4: Microwave Diodes and Transistors |
 |
|
|
|
GB/T 4937.201-2026 半导体器件 机械和气候试验方法 第20-1部分：对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输（中英文版） Semiconductor Devices—Mechanical and Climatic Test Methods—Part 20-1: Handling, Packaging, Marking, and Transportation of Surface-Mount Devices Sensitive to the Combined Effects of Moisture and Soldering Heat |
|
|
|
|
GB/T 42706.9-2026 电子元器件 半导体器件长期贮存 第9部分：特殊情况（中英文版） Electronic Components—Long-Term Storage of Semiconductor Devices—Part 9: Special Cases |
|
|
|
|
GB/T 45716.1-2026 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验（中英文版） Semiconductor Devices—Testing for Bias-Temperature Instability of Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors (MOSFETs)—Part 1: Rapid Bias-Temperature Instability Testing of MOSFETs |
|
|
|
|
GB/T 20521.1-2026 半导体器件 第14-1部分：半导体传感器 传感器总规范（中英文版） Semiconductor Devices—Part 14-1: Semiconductor Sensors—General Specifications for Sensors |
|
|
|
|
GB/T 15651.4-2026 半导体器件 第5-4部分：光电子器件 半导体激光器（中英文版） Semiconductor Devices, Part 5-4: Optoelectronic Devices—Semiconductor Lasers |
|
|
|
|
GB/T 4023.3-2026 半导体分立器件 第3部分：信号、开关和调整二极管（中英文版） Semiconductor Discrete Devices—Part 3: Signal, Switching, and Regulator Diodes |
|
|
|
|
GB/T 42709.3-2026 半导体器件 微电子机械器件 第3部分：拉伸试验用薄膜标准试验片（中英文版） Semiconductor Devices; Microelectromechanical Devices; Part 3: Standard Test Specimens for Tensile Testing of Thin Films |
|
|
|
|
GB/T 42709.2-2026 半导体器件 微电子机械器件 第2部分：薄膜材料拉伸试验方法（中英文版） Semiconductor Devices; Microelectromechanical Devices; Part 2: Tensile Test Methods for Thin-Film Materials |
|
|
|
|
GB/T 7576-2026 半导体分立器件 大功率双极型晶体管空白详细规范（中英文版） Semiconductor Discrete Devices: Detailed Specifications for High-Power Bipolar Transistors (Blank) |
|
|
|
|
GB/T 6217-2026 半导体分立器件 小功率双极型晶体管空白详细规范（中英文版） Semiconductor Discrete Devices: Detailed Specifications for Low-Power Bipolar Transistors (Blank) |
|
|
|
|
GB/T 7581-2026 半导体分立器件外形尺寸（中英文版） Dimensions of Discrete Semiconductor Devices |
|
|
|
|
GB/T 17573-2026 半导体器件 总则（中英文版） Semiconductor Devices: General Provisions |
|
|
|
|
GB/T 11499-2026 半导体分立器件文字符号（中英文版） Symbolic Designations for Discrete Semiconductor Devices |
|
|
|
|
GB/T 4023.1-2026 半导体分立器件 第1部分：分规范（中英文版） Semiconductor Discrete Devices—Part 1: General Specifications |
|
|
|
|
GB/T 47239.9-2026 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第9部分：一晶体管一电阻式（1T1R）电阻存储单元性能测试方法（中英文版） Semiconductor Devices—Flexible and Stretchable Semiconductor Devices—Part 9: Test Methods for the Performance of One-Transistor-One-Resistor (1T1R) Resistive Memory Cells |
|
|
|
|
GB/T 47239.8-2026 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第8部分：柔性电阻存储器延展性、柔韧性和稳定性测试方法（中英文版） Semiconductor Devices—Flexible and Stretchable Semiconductor Devices—Part 8: Test Methods for Extensibility, Flexibility, and Stability of Flexible Resistive Memory Devices |
|
|
|
|
GB/T 42706.8-2026 电子元器件 半导体器件长期贮存 第8部分：无源电子器件（中英文版） Electronic Components—Long-Term Storage of Semiconductor Devices—Part 8: Passive Electronic Components |
|
|
|
|
GB/T 42706.7-2026 电子元器件 半导体器件长期贮存 第7部分：微电子机械器件（中英文版） Electronic Components—Long-Term Storage of Semiconductor Devices—Part 7: Microelectromechanical Devices |
|
|
|
|
GB/T 4937.9-2026 半导体器件 机械和气候试验方法 第9部分：标志耐久性（中英文版） Semiconductor Devices—Mechanical and Climatic Test Methods—Part 9: Marking Durability |
|
|
|
|
GB/T 47240.4-2026 半导体器件 人体通信半导体接口 第4部分：胶囊内窥镜（中英文版） Semiconductor Devices; Human Body Communication Semiconductor Interfaces; Part 4: Capsule Endoscopes |
|
|
|
|
GB/T 47240.1-2026 半导体器件 人体通信半导体接口 第1部分：总则（中英文版） Semiconductor Devices—Semiconductor Interfaces for Body-Worn Communications—Part 1: General Requirements |
|
|
|
|
GB/T 4937.28-2026 半导体器件 机械和气候试验方法 第28部分：静电放电（ESD）敏感度测试 带电器件模型（CDM） 器件级（中英文版） Semiconductor Devices—Mechanical and Climatic Test Methods—Part 28: Electrostatic Discharge (ESD) Sensitivity Testing—Charged Device Model (CDM)—Device Level |
|
|
|
|
GB/T 15651.13-2026 半导体器件 第5-13部分：光电子器件 LED封装的硫化氢腐蚀试验（中英文版） Semiconductor Devices, Parts 5–13: Optoelectronic Devices—Hydrogen Sulfide Corrosion Testing of LED Packages |
|
|
|
|
GB/T 4937.41-2026 半导体器件 机械和气候试验方法 第41部分：非易失性存储器可靠性试验方法（中英文版） Semiconductor Devices—Mechanical and Climatic Test Methods—Part 41: Reliability Test Methods for Non-Volatile Memory |
|
|
|
|
GB/T 249-2026 半导体分立器件型号命名方法（中英文版） Naming Conventions for Discrete Semiconductor Devices |
|
|
|
|
GB/Z 102.17-2026 半导体器件 分立器件 第17部分：基本绝缘和加强绝缘的磁耦合器和电容耦合器（中英文版） Semiconductor Devices—Discrete Devices—Part 17: Magnetic and Capacitive Couplers with Basic and Reinforced Insulation |
|
|
|
|
GB/T 46809.1-2025 半导体器件 - 第19-1部分：智能传感器 - 智能传感器的控制方案（中英文版） Semiconductor Devices - Part 19-1: Smart Sensors - Control Schemes for Smart Sensors |
|
|
|
|
GB/T 20521.4-2025 半导体器件 - 第14-4部分：半导体传感器 - 半导体加速度计（中英文版） Semiconductor Devices - Part 14-4: Semiconductor Sensors - Semiconductor Accelerometers |
|
|
|
|
GB/T 15879.612-2025 半导体器件的机械标准化 - 第6-12部分：表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则 - 密节距焊盘阵列封装（FLGA）的设计指南（中英文版） Mechanical Standardization of Semiconductor Devices - Parts 6-12: General Rules for Drawing Outline Drawings of Surface Mount Semiconductor Device Packages Design Guidelines for Fine Pitch Array Packages (FLGA) |
|
|
|
|
GB/T 4937.40-2025 半导体器件 - 机械和气候试验方法 - 第40部分：采用应变仪的板级跌落试验方法（中英文版） Semiconductor Devices - Mechanical and Climate Testing Methods - Part 40: Plate Drop Test Method Using Strain Gauges |
|
|
|
|
GB/T 4937.39-2025 半导体器件 - 机械和气候试验方法 - 第39部分：半导体器件用有机材料的潮气扩散率和水溶解度测量（中英文版） Semiconductor Devices - Mechanical and Climate Testing Methods - Part 39: Measurement of Moisture Diffusion and Water Solubility of Organic Materials for Semiconductor Devices |
|
|
|
|
GB/T 4937.37-2025 半导体器件 - 机械和气候试验方法 - 第37部分：采用加速度计的板级跌落试验方法（中英文版） Semiconductor Devices - Mechanical and Climate Testing Methods - Part 37: Plate Drop Test Method Using Accelerometers |
|
|
|
|
GB/T 4937.10-2025 半导体器件 - 机械和气候试验方法 - 第10部分：机械冲击 - 器件和组件（中英文版） Semiconductor Devices - Mechanical and Climate Testing Methods - Part 10: Mechanical Shock - Devices and Components |
|
|
|
|
GB/T 4937.8-2025 半导体器件 - 机械和气候试验方法 - 第8部分：密封（中英文版） Semiconductor Devices - Mechanical and Climate Testing Methods - Part 8: Sealing |
|
|
|
|
GB/T 42706.3-2025 电子元器件 - 半导体器件长期贮存 - 第3部分：数据（中英文版） Electronic Components - Long-Term Storage of Semiconductor Devices - Part 3: Data |
|
|
|
|
GB/T 46789-2025 半导体器件 - 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验（中英文版） Semiconductor Devices - Movable Ion Test for Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) |
|
|
|
|
GB/T 4937.44-2025 半导体器件 - 机械和气候试验方法 - 第44部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验方法（中英文版） Semiconductor Devices - Mechanical and Climatic Test Methods - Part 44: Test Method for Single-Event Effects (SEE) in Semiconductor Devices after Neutron Irradiation |
|
|
|
|
GB/T 4937.38-2025 半导体器件 - 机械和气候试验方法 - 第38部分：带存储的半导体器件的软错误试验方法（中英文版） Semiconductor Devices - Methods of Mechanical and Climatic Testing - Part 38: Soft Errors Test Method for Semiconductor Devices with Memory |
|
|
|
|
GB/T 20521.5-2025 半导体器件 - 第14-5部分：半导体传感器 - PN结半导体温度传感器（中英文版） Semiconductor Devices - Part 14-5: Semiconductor Sensors - PN Junction Semiconductor Temperature Sensors |
|
|
|
|
GB/T 4937.29-2025 半导体器件 - 机械和气候试验方法 - 第29部分：闩锁试验（中英文版） Semiconductor Devices - Methods of Mechanical and Climatic Testing - Part 29: Latch-up Test |
|
|
|
|
GB/T 20521.2-2025 半导体器件 - 第14-2部分：半导体传感器 - 霍尔元件（中英文版） Semiconductor Devices - Part 14-2: Semiconductor Sensors - Hall Elements |
|
|
|
|
GB/T 46788-2025 半导体器件表面镀涂锡和锡合金上的锡须的环境接收要求（中英文版） Environmental Acceptance Requirements for Tin Whiskers on Tin and Tin Alloy Surface Coatings of Semiconductor Devices |
|
|
|
|
GB/T 4937.36-2025 半导体器件 - 机械和气候试验方法 - 第36部分：稳态加速度（中英文版） Semiconductor Devices - Mechanical and Climatic Test Methods - Part 36: Steady-State Acceleration |
|
|
|
|
GB/T 4937.33-2025 半导体器件 - 机械和气候试验方法 - 第33部分：加速耐湿 - 无偏置高压蒸煮（中英文版） Semiconductor Devices - Mechanical and Climatic Test Methods - Part 33: Accelerated Humidity Resistance - No-Bias High-Pressure Autoclaving |
|
|
|
|
GB/T 4937.25-2025 半导体器件 - 机械和气候试验方法 - 第25部分：温度循环（中英文版） Semiconductor Devices - Mechanical and Climatic Test Methods - Part 25: Temperature Cycling |
|
|
|
|
GB/T 4937.24-2025 半导体器件 - 机械和气候试验方法 - 第24部分：加速耐湿 - 无偏置强加速应力试验（中英文版） Semiconductor Devices - Mechanical and Climatic Test Methods - Part 24: Accelerated Humidity Resistance - No-Bias High Acceleration Stress Test |
|
|
|
|
GB/T 46717-2025 半导体器件 - 金属化空洞应力试验（中英文版） Semiconductor Devices - Metallization Cavity Stress Test |
|
|
|
|
GB/T 42706.6-2025 电子元器件 - 半导体器件长期贮存 - 第6部分：封装或涂覆元器件（中英文版） Electronic Components - Long-Term Storage of Semiconductor Devices - Part 6: Packaged or Coated Components |
|
|
|
|
GB/T 42706.4-2025 电子元器件 - 半导体器件长期贮存 - 第4部分：贮存（中英文版） Electronic Components - Long-Term Storage of Semiconductor Devices - Part 4: Storage |
|
|
|
|
GB/T 4937.16-2025 半导体器件 - 机械和气候试验方法 - 第16部分：粒子碰撞噪声检测（PIND）（中英文版） Semiconductor Devices - Methods of Mechanical and Climatic Testing - Part 16: Particle Impact Noise Detection (PIND) |
|
|
|
|
GB/T 45716-2025 半导体器件-金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验（中英文版） Semiconductor Devices - Bias Temperature Instability Test for Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) |
|
|
|
|
GB/T 45720-2025 半导体器件-栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验（中英文版） Semiconductor Devices - Time-Dependent Dielectric Breakdown (TDDB) Test for Gate Dielectric Layers |
|
|
|
|
GB/T 45722-2025 半导体器件-恒流电迁移试验（中英文版） Semiconductor Devices - Constant Current Electromigration Test |
|
|
|
|
GB/T 45719-2025 半导体器件-金属氧化物半导体（MOS）-晶体管的热载流子试验（中英文版） Semiconductor Devices - Metal Oxide Semiconductor (MOS) - Hot Carrier Test for Transistors |
|
|
|
|
GB/T 45718-2025 半导体器件-内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验（中英文版） Semiconductor Devices - Time-Dependent Dielectric Breakdown (TDDB) Test for Internal Metal Layers |
|
|
|
|
GB/T 45721.1-2025 半导体器件-应力迁移试验-第1部分：铜应力迁移试验（中英文版） Semiconductor Devices - Stress Migration Test - Part 1: Copper Stress Migration Test |
|
|
|
|
GB/T 20870.4-2024 半导体器件-第16-4部分：微波集成电路-开关（中英文版） Semiconductor devices - Part 16-4: Microwave integrated circuits - switches |
|
|
|
|
GB/T 44375-2024 300mm半导体设备装载端口要求（中英文版） Requirements for loading ports of 300mm semiconductor devices |
|
|
|
|
GB/T 44181-2024 空间环境-宇航用半导体器件在轨单粒子翻转率预计方法（中英文版） Space environment - Method for estimating the single particle upset rate of semiconductor devices for aerospace on-orbit Method |
|
|
|
|
GB/T 43967-2024 空间环境-宇航用半导体器件单粒子效应脉冲激光试验方法（中英文版） Space environment - single particle effect pulse laser test method for semiconductor devices for aerospace use |
|
|
|
|
GB/T 43777-2024 化妆品中功效组分虾青素的测定-高效液相色谱法（中英文版） Semiconductor devices - Part 5-7: Optoelectronic devices - Photodiodes and phototransistors |
|
|
|
|
GB/T 15651.5-2024 半导体器件-第5-5部分：光电子器件-光电耦合器（中英文版） Semiconductor devices - Part 5-5: Optoelectronic devices - Optocouplers |
|
|
|
|
GB/T 4937.35-2024 半导体器件-机械和气候试验方法-第35部分：塑封电子元器件的声学显微镜检查（中英文版） Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 35: Acoustic microscopy of plastic encapsulated electronic components |
|
|
|
|
GB/T 4937.34-2024 半导体器件-机械和气候试验方法-第34部分：功率循环（中英文版） Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 34: Power cycling |
|
|
|
|
GB/T 43493.3-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法（中英文版） Semiconductor devices - Non-destructive testing and identification criteria for defects in silicon carbide homoepitaxial wafers for power devices - Part 3: Photoluminescence detection method of defects |
|
|
|
|
GB/T 43493.2-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法（中英文版） Semiconductor devices - Non-destructive testing and identification criteria for defects in silicon carbide homoepitaxial wafers for power devices - Part 2: Optical detection methods for defects |
|
|
|
|
GB/T 43493.1-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类（中英文版） Semiconductor devices - Non-destructive testing and identification criteria for defects in silicon carbide homoepitaxial wafers for power devices - Part 1: Defect classification |
|
|
|
|
GB/T 43366-2023 宇航用半导体分立器件通用规范（中英文版） General specification for semiconductor discrete devices for aerospace applications |
|
|
|
|
GB/T 4937.26-2023 半导体器件 机械和气候试验方法 第26部分：静电放电（ESD）敏感度测试 人体模型（HBM）（中英文版） Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 26: Electrostatic discharge (ESD) susceptibility testing Human Body Model (HBM) |
|
|
|
|
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管（中英文版） Semiconductor Devices Discrete Devices Part 7: Bipolar Transistors |
|
|
|
|
GB/T 43035-2023 半导体器件 集成电路 第20部分：膜集成电路和混合膜集成电路总规范 第一篇：内部目检要求（中英文版） Semiconductor Devices Integrated Circuits Part 20: General Specifications for Film Integrated Circuits and Hybrid Film Integrated Circuits Part 1: Internal Visual Inspection Requirements |
|
|
|
|
GB/T 20870.5-2023 半导体器件 第16-5部分：微波集成电路 振荡器（中英文版） Semiconductor devices Part 16-5: Microwave integrated circuits Oscillators |
|
|
|
|
GB/T 20870.2-2023 半导体器件 第16-2部分：微波集成电路 预分频器（中英文版） Semiconductor devices Part 16-2: Microwave integrated circuits Prescalers |
|
|
|
|
GB/T 20870.10-2023 半导体器件 第16-10部分：单片微波集成电路技术可接收程序（中英文版） Semiconductor Devices Part 16-10: Monolithic Microwave Integrated Circuit Technology Acceptable Procedures |
|
|
|
|
GB/T 15651.6-2023 半导体器件 第5-6部分：光电子器件 发光二极管（中英文版） Semiconductor devices Part 5-6: Optoelectronic devices Light emitting diodes |
|
|
|
|
GB/T 42709.19-2023 半导体器件 微电子机械器件 第19部分：电子罗盘（中英文版） Semiconductor devices Microelectronic mechanical devices Part 19: Electronic compass |
|
|
|
|
GB/T 4937.23-2023 半导体器件 机械和气候试验方法 第23部分：高温工作寿命（中英文版） Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 23: High temperature operating life |
|
|
|
|
GB/T 4937.27-2023 半导体器件 机械和气候试验方法 第27部分：静电放电（ESD）敏感度测试 机器模型（MM）（中英文版） Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 27: Electrostatic discharge (ESD) susceptibility test - Machine model (MM) |
|
|
|
|
GB/T 4937.32-2023 半导体器件 机械和气候试验方法 第32部分：塑封器件的易燃性（外部引起的）（中英文版） Semiconductor devices - Methods of mechanical and climatic tests - Part 32: Flammability of plastic encapsulated devices (externally induced) |
|
|
|
|
GB/T 4937.31-2023 半导体器件 机械和气候试验方法 第31部分：塑封器件的易燃性（内部引起的）（中英文版） Semiconductor devices - Methods of mechanical and climatic tests - Part 31: Flammability of plastic encapsulated devices (internal origin) |
|
|
|
|
GB/T 42706.5-2023 电子元器件 半导体器件长期贮存 第5部分：芯片和晶圆（中英文版） Electronic components - Long term storage of semiconductor devices - Part 5: Chips and wafers |
|
|
|
|
GB/T 42706.2-2023 电子元器件 半导体器件长期贮存 第2部分：退化机理（中英文版） Electronic components - Long-term storage of semiconductor devices - Part 2: Degradation mechanisms |
|
|
|
|
GB/T 42706.1-2023 电子元器件 半导体器件长期贮存 第1部分：总则（中英文版） Electronic components - Long term storage of semiconductor devices - Part 1: General |
|
|
|
|
GB/T 15879.604-2023 半导体器件的机械标准化 第6-4部分：表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则 焊球阵列（BGA）封装的尺寸测量方法（中英文版） Mechanical standardization of semiconductor devices - Part 6-4: General rules for drawing outline drawings of surface mount semiconductor device packages - Dimensional measurement methods for ball array (BGA) packages |
|
|
|
|
GB/T 4937.42-2023 半导体器件 机械和气候试验方法 第42部分：温湿度贮存（中英文版） Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 42: Temperature and humidity storage |
|
|
|
|
GB/T 42709.7-2023 半导体器件 微电子机械器件 第7部分：用于射频控制和选择的MEMS体声波滤波器和双工器（中英文版） Semiconductor devices Microelectromechanical devices Part 7: MEMS bulk acoustic wave filters and duplexers for radio frequency control and selection |
|
|
|
|
GB/T 42709.5-2023 半导体器件 微电子机械器件 第5部分：射频MEMS开关（中英文版） Semiconductor devices Microelectromechanical devices Part 5: RF MEMS switches |
|
|
|
|
GB/T 8446.3-2022 电力半导体器件用散热器? 第3部分：绝缘件和紧固件（中英文版） Heat sinks for power semiconductor devices—Part 3: Insulators and fasteners |
|
|
|
|
GB/T 8446.2-2022 电力半导体器件用散热器? 第2部分：热阻和流阻测量方法（中英文版） Heat sinks for power semiconductor devices—Part 2: Measurement methods of thermal resistance and inlet-outlet fluid pressure drop |
|
|
|
|
GB/T 8446.1-2022 电力半导体器件用散热器? 第1部分：散热体（中英文版） Heat sinks for power semiconductor devices—Part 1: Radiators |
|
|
|
|
GB/T 41852-2022 半导体器件 微机电器件 MEMS结构黏结强度的弯曲和剪切试验方法（中英文版） Semiconductor devices; microelectromechanical devices; bending and shearing test methods for bonding strength of MEMS structures |
|
|
|
|
GB/T 41853-2022 半导体器件 微机电器件 晶圆间键合强度测量（中英文版） Semiconductor devices MEMS devices Wafer-to-wafer bond strength measurement |
|
|
|
|
GB/T 15879.4-2019 半导体器件的机械标准化 第4部分：半导体器件封装外形的分类和编码体系（中英文版） Mechanical standardization of semiconductor devices—Part 4: Coding system and classification into forms of package outlines for semiconductor device packages |
|
|
|
|
GB/T 11498-2018 半导体器件-集成电路-第21部分：膜集成电路和混合膜集成电路分规范(采用鉴定批准程序)半导体器件-集成电路-第21部分：膜集成电路和混合膜集成电路分规范(采用鉴定批准程序)（中英文版） Semiconductor devices—Integrated circuits—Part 21：Sectional specification for film integrated circuits and hybrid film integrated circuits on the basis of the qualification approval procedures |
|
|
|
|
GB/T 13062-2018 半导体器件-集成电路-第21-1部分：膜集成电路和混合膜集成电路空白详细规范(采用鉴定批准程序)（中英文版） Semiconductor devices—Integrated circuits—Part 21-1:Blank detail specification for film integrated circuits and hybrid film integrated circuits on the basis of the qualification approval procedures |
|
|
|
|
GB/T 36360-2018 半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范（中英文版） Semiconductor optoelectronic devices--Blank detail specification for middle power light-emitting diodes |
|
|
|
|
GB/T 36358-2018 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范（中英文版） Semiconductor optoelectronic devices—Blank detail specification for power light-emitting diodes |
|
|
|
|
GB/T 36359-2018 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范（中英文版） Semiconductor optoelectronic devices—Blank detail specification for lower power light-emitting diodes |
|
|
|
|
GB/T 15879.5-2018 半导体器件的机械标准化 第5部分：用于集成电路载带自动焊(TAB)的推荐值（中英文版） Mechanical standardization of semiconductor devices—Part 5: Recommendations applying to tape automated bonding(TAB) of integrated circuits |
|
| 找到:188條目 | [首頁]-[上一頁]-[下一頁]-[尾頁] | 去到: 1 2 |
