中華人民共和國國家標準(中國大陸GB標準)英文版 |
 |
GB標準是中華人民共和國國家標準，也叫GB國標，是中國大陸強制執行的國家標準，所有中國大陸境內銷售的商品及提供服務都必須符合GB國家標準的要求，包括進口商品及服務； 本網站提供GB國家標準的查詢檢索，英文版翻譯，GB標準產品檢測檢驗及合規性分析服務； |
|
GB/T 15626-1995 散装液体化工产品港口装卸技术要求（中英文版） The specifications for port handling of liquid chemicals in bulk |
 |
|
|
|
SJ 50033/59-1995 半导体分立器件 ３ｄｋ３９型功率开关晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type 3DK39 power switching transistor |
|
|
|
|
SJ 50033/89-1995 半导体分立器件 ｃｓ６７６８和ｃｓ６７７０型硅ｎ沟道增强型场效应晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type ＣＳ６７６8and ＣＳ６７70 silicon N-channel deplition mode field-effect transistor |
|
|
|
|
SJ 50033/90-1995 半导体分立器件 ３ｄｋ１０６型ｎｐｎ硅小功率开关晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type 3DK106 NPN silicon low -- Power switching transistor |
|
|
|
|
SJ 50033/88-1995 半导体分立器件 ｃｓ６７６０和ｃｓ６７６２型硅ｎ沟道增强型场效应晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type ＣＳ６７６０and ＣＳ６７６２ silicon N-channel deplition mode field-effect transistor |
|
|
|
|
SJ 50033/87-1995 半导体分立器件 ｃｓ４０９１～ｃｓ４０９３型硅ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type ＣＳ４０９１~ＣＳ４０９３ silicon N-channel deplition mode field-effect transistor |
|
|
|
|
SJ 50033/86-1995 半导体分立器件 ｃｓ５１１４～ｃｓ５１１６型硅ｐ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type ＣＳ５１１４~ＣＳ５１１６ silicon P-channel deplition mode field-effect transistor |
|
|
|
|
SJ 50033/85-1995 半导体分立器件 ｃｓ１４１型硅ｎ沟道ｍｏｓ耗尽型场效应晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type CS141 silicon N-channel MOS enhancement mode field-effect transistor |
|
|
|
|
SJ 50033/84-1995 半导体分立器件 ｃｓ１４０型硅ｎ沟道ｍｏｓ耗尽型场效应晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type CS140 silicon N-channel MOS enhancement mode field-effect transistor |
|
|
|
|
SJ 50033/60-1995 半导体分立器件 ３ｄｋ４０型功率开关晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type 3DK40 power switching transistor |
|
|
|
|
SJ 50033/83-1995 半导体分立器件 ｃｓ１３９型硅ｐ沟道ｍｏｓ增强型场效应晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type CS139 silicon P-channel MOS enhancement mode field-effect transistor |
|
|
|
|
SJ 50033/82-1995 半导体分立器件 ３ｄｋ１００型ｎｐｎ硅小功率开关晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type 3DK100 NPN silicon low-power switching transistor |
|
|
|
|
SJ 50033/68-1995 半导体分立器件 ｂｔ５１型ｎｐｎ硅小功率差分对晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type BT51 NPN silicon small power difference matchen -- Pair transistor |
|
|
|
|
SJ 20503-1995 无线双工移动通信系统 无线中心交换机通用规范（中英文版） General specification of radio center switch for duplex mobile radio system |
|
|
|
|
SJ 20500-1995 方舱大板通用规范（中英文版） General specification for sandwich panels of shelters |
|
|
|
|
SJ 50973/4-1995 ｓｆｃｊ－５０－５－５１型打孔聚四氟乙烯绝缘柔软射频电缆详细规范（中英文版） Cable, radio frequency, flexible, PTFE punched tape insulation, type SFCJ-50-5-51, detail specification for |
|
|
|
|
SJ 50788/1-1995 ｊ３６ｚｋｆ４５型控制式自整角发送机详细规范（中英文版） Type J36ZKF45, synchro control transmitters, detail specification for |
|
|
|
|
SJ 20486-1995 镉镍全密封碱性单体蓄电池总规范（中英文版） Nickel-cadmium alkaline rechargeable cells, hermetically sealed, general specification for |
|
|
|
|
SJ 20476-1995 过电压保护气体放电管总规范（中英文版） General specification for gas discharge tubes for overvoltage protection |
|
|
|
|
SJ 20476.2-1995 R2100型高能点火气体放电管详细规范（中英文版） Detail specification for gas discharge tubes for high energy ignition of type R2100 |
|
| 找到:4841條目 | [首頁]-[上一頁]-[下一頁]-[尾頁] | 去到: [225] [226] [227] [228] [229] [230] [231] |
