中華人民共和國國家標準(中國大陸GB標準)英文版 |
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GB標準是中華人民共和國國家標準，也叫GB國標，是中國大陸強制執行的國家標準，所有中國大陸境內銷售的商品及提供服務都必須符合GB國家標準的要求，包括進口商品及服務； 本網站提供GB國家標準的查詢檢索，英文版翻譯，GB標準產品檢測檢驗及合規性分析服務； |
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GB/T 42905-2023 碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法（中英文版） Testing of Silicon Carbide Epitaxial Layer Thickness Infrared Reflection Method |
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GB/T 42902-2023 碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法（中英文版） Testing of surface defects of silicon carbide epitaxial wafers Laser scattering method |
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GB/T 43493.1-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类（中英文版） Semiconductor devices - Non-destructive testing and identification criteria for defects in silicon carbide homoepitaxial wafers for power devices - Part 1: Defect classification |
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GB/T 14146-2021 硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法（中英文版） Test method for carrier concentration of silicon epitaxial layers - Capacitance-voltage method |
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GB/T 14142-2017 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法（中英文版） Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon—Etching technique |
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GB/T 30652-2014 硅外延用三氯氢硅（中英文版） Trichlorosilane for silicon epitaxial |
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GB/T 14863-2013 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法（中英文版） Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes |
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GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法（中英文版） Test mothod for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance |
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GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法（中英文版） Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method |
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GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法（中英文版） Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array |
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