中華人民共和國國家標準(中國大陸GB標準)英文版

GB標準是中華人民共和國國家標準,也叫GB國標,是中國大陸強制執行的國家標準,所有中國大陸境內銷售的商品及提供服務都必須符合GB國家標準的要求,包括進口商品及服務; 本網站提供GB國家標準的查詢檢索,英文版翻譯,GB標準產品檢測檢驗及合規性分析服務;
       
  GB/T 37312.1-2019
航空电子过程管理 航空航天、国防及其他高性能应用领域(ADHP)电子元器件 第1部分:高可靠集成电路与分立半导体器件通用要求(中英文版)
Process management for avionics—Electronic components for aerospace, defence and high performance (ADHP) applications—Part 1: General requirements for high reliability integrated circuits and discrete semiconductors
  GB/T 15651.4-2017
半导体器件 分立器件 第5-4部分:光电子器件 半导体激光器(中英文版)
Semiconductor devices—Discrete devices—Part 5-4:Optoelectronic devices—Semiconductor lasers
  GB/T 249-2017
半导体分立器件型号命名方法(中英文版)
The rule of type designation for discrete semiconductor devices
  SJ/T 1839-2016
半导体分立器件 3dk108型npn硅小功率开关晶体管详细规范(中英文版)
(Semiconductor discrete device 3DK108 silicon NPN low power switching transistor detailed specification)
  SJ/T 1830-2016
半导体分立器件 3dk101型npn硅小功率开关晶体管详细规范(中英文版)
(Semiconductor discrete device 3DK101 silicon NPN low power switching transistor detailed specification)
  SJ/T 1826-2016
半导体分立器件 3dk100型npn硅小功率开关晶体管详细规范(中英文版)
(Semiconductor discrete device 3DK100 silicon NPN low power switching transistor detailed specification)
  SJ/T 1486-2016
半导体分立器件 3cg180型硅pnp高频高反压小功率晶体管详细规范(中英文版)
(Discrete semiconductor devices 3CG180 silicon PNP frequency high power transistor backpressure small detail specification)
  SJ/T 1480-2016
半导体分立器件 3cg130型硅pnp高频小功率晶体管详细规范(中英文版)
(Discrete semiconductor devices 3CG130 high frequency low power silicon PNP transistor detailed specification)
  SJ/T 1477-2016
半导体分立器件 3cg120型硅pnp高频小功率晶体管详细规范(中英文版)
(Discrete semiconductor devices 3CG120 high frequency low power silicon PNP transistor detailed specification)
  SJ/T 1472-2016
半导体分立器件 3cg110型硅pnp高频小功率晶体管详细规范(中英文版)
(Discrete semiconductor devices 3CG110 high frequency low power silicon PNP transistor detailed specification)
  SJ/T 1832-2016
半导体分立器件 3dk102型npn硅小功率开关晶体管详细规范(中英文版)
(Semiconductor discrete device 3DK102 silicon NPN low power switching transistor detailed specification)
  SJ/T 1833-2016
半导体分立器件 3dk103型npn硅小功率开关晶体管详细规范(中英文版)
(Semiconductor discrete device 3DK103 silicon NPN low power switching transistor detailed specification)
  SJ/T 1834-2016
半导体分立器件 3dk104型npn硅小功率开关晶体管详细规范(中英文版)
(Semiconductor discrete device 3DK104 silicon NPN low power switching transistor detailed specification)
  SJ/T 1831-2016
半导体分立器件 3dk28型npn硅小功率开关晶体管详细规范(中英文版)
(Semiconductor discrete device 3DK28 silicon NPN low power switching transistor detailed specification)
  SJ/T 1838-2016
半导体分立器件 3dk29型npn硅小功率开关晶体管详细规范(中英文版)
(Semiconductor discrete device 3DK29 silicon NPN low power switching transistor detailed specification)
  GB/T 4023-2015
半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管(中英文版)
Semiconductor devices—Discrete devices and integrated circuits— Part 2: Rectifier diodes
  GB/T 29332-2012
半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)(中英文版)
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors(IGBT)
  GB/T 21039.1-2007
半导体器件 分立器件 第4-1部分:微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范(中英文版)
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4-1: Microwave diodes and transistors - Microwave field effect transistors - Blank detail specification
  GB/T 20516-2006
半导体器件 分立器件 第4部分:微波器件(中英文版)
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4: Microwave devices
  GB/T 4589.1-2006
半导体器件 第10部分:分立器件和集成电路总规范(中英文版)
Semiconductor devices - Part 10: Generic specification for discrete devices and integrated circuits

找到:259條目   |  [首頁]-[上一頁]-[下一頁]-[尾頁]  | 去到: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13