中華人民共和國國家標準(中國大陸GB標準)英文版 |
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GB標準是中華人民共和國國家標準，也叫GB國標，是中國大陸強制執行的國家標準，所有中國大陸境內銷售的商品及提供服務都必須符合GB國家標準的要求，包括進口商品及服務； 本網站提供GB國家標準的查詢檢索，英文版翻譯，GB標準產品檢測檢驗及合規性分析服務； |
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SJ 50033/118-1997 半导体分立器件2ek31型砷化镓开关二极管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 2EK31 GaAs switching diode |
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SJ 50033/129-1997 半导体分立器件3dd155型低频大功率晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 3DD155 low-frequency and high -- Power transistor |
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SJ 50033/119-1997 半导体分立器件cs204型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete devices. Detail specification for type CS204 GaAs microwave power field effect transistor |
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SJ 50033/131-1997 半导体分立器件3dd157型低频大功率晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 3DD157 low -- Frequency and high -- Power transistor |
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SJ 50033/132-1997 半导体分立器件3dd260型低频大功率晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 3DD260 low -- Frequency and high -- Power transistor |
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SJ 50033/133-1997 半导体分立器件sy5629～5665a型瞬态电压抑制二极管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete devices. Detail specification for type SY5629-5665A tramsient voltage suppression diodes |
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SJ 50033/134-1997 半导体分立器件3dd167型低频大功率晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 3DD167 low -- Frequency and high -- Power transistor |
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SJ 50033/135-1997 半导体分立器件2cz10型硅开关整流二极管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 2CZ10 silicon switching rectifier diode |
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SJ 50033/136-1997 半导体分立器件gf116型红色发光二极管详细规范（中英文版） Semiconductor optoelectronic devices. Detail specification for red light emitting diode for type GF116 |
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SJ 50033/137-1997 半导体光电子器件gf216型橙色发光二极管详细规范（中英文版） Semiconductor optoelectronic devices. Detail specification for orange -- Red light emitting diode for type GF216 |
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SJ 50033/128-1997 半导体分立器件2dk15型硅肖特基开关整流二极管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 2DK15 SCHOTTKY ailicon switching rectifier diode |
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SJ 50033/117-1997 半导体分立器件2ck38型硅大电流开关二极管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 2CK38 silicon large current switch diode |
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SJ 50033/116-1997 半导体分立器件2ck29型硅大电流开关二极管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 2CK29 silicon large current switch diode |
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SJ 50033/115-1997 半导体分立器件2ck28型硅大电流开关二极管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 2CK28 silicon large current switch diode |
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SJ 50033/121-1997 半导体分立器件cs3458～cs3460型硅n沟道结型场效应晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete devices. Detail specification for type CS3458-CS3460 silicon N-channel junction mode field-effect transistors |
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SJ 50033/111-1996 半导体光电子器件 ｇｔ１６型硅ｎｐｎ光电晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor optoelectronic devices. Detail specification for type GT16 Si.NPN phototransistor |
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SJ 50033/103-1996 半导体分立器件 ３ｄａ８９型高频功率晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type 3DA89 high-frequency power transistor |
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SJ 50033/104-1996 半导体分立器件 ３ｄｋ００２型功率开关晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type 3DK002 power switching transistor |
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SJ 50033/105-1996 半导体分立器件 ３ｄｋ４０４型功率开关晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device Detail specification for type 3DK404 power switching transistor |
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SJ 50033/106-1996 半导体分立器件 ｃｓ２０３型砷化镓微波低噪声场效应晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type CS203 GaAs microwave low noise field effect transistor |
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