中華人民共和國國家標準(中國大陸GB標準)英文版 |
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GB標準是中華人民共和國國家標準，也叫GB國標，是中國大陸強制執行的國家標準，所有中國大陸境內銷售的商品及提供服務都必須符合GB國家標準的要求，包括進口商品及服務； 本網站提供GB國家標準的查詢檢索，英文版翻譯，GB標準產品檢測檢驗及合規性分析服務； |
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SY/T 4090-1995 滩海石油工程发电设施技术规范（中英文版） Technical specification of generating equipment for petroleum engineering in beach-shallow sea |
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SY/T 4087-1995 滩海石油工程通风空调技术规范（中英文版） Technical specification of ventilation and air conditioning for petroleum engineering in beach-shallow sea |
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GB 15702-1995 电子海图技术规范（中英文版） Specifications for electronic charts |
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GB/T 15646-1995 VHS录像机运带机构总技术条件（中英文版） Generic specification for the transport mechanism of VHS video tape recorders |
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GB/T 15626-1995 散装液体化工产品港口装卸技术要求（中英文版） The specifications for port handling of liquid chemicals in bulk |
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SJ 50033/87-1995 半导体分立器件 ｃｓ４０９１～ｃｓ４０９３型硅ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type ＣＳ４０９１~ＣＳ４０９３ silicon N-channel deplition mode field-effect transistor |
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SJ 20476.1-1995 R2400A型高能点火气体放电管详细规范（中英文版） Detail specification for gas discharge tubes for high energy ignition of type R2400A |
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SJ 50033/89-1995 半导体分立器件 ｃｓ６７６８和ｃｓ６７７０型硅ｎ沟道增强型场效应晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type ＣＳ６７６8and ＣＳ６７70 silicon N-channel deplition mode field-effect transistor |
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SJ 50033/88-1995 半导体分立器件 ｃｓ６７６０和ｃｓ６７６２型硅ｎ沟道增强型场效应晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type ＣＳ６７６０and ＣＳ６７６２ silicon N-channel deplition mode field-effect transistor |
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SJ 50033/86-1995 半导体分立器件 ｃｓ５１１４～ｃｓ５１１６型硅ｐ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type ＣＳ５１１４~ＣＳ５１１６ silicon P-channel deplition mode field-effect transistor |
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SJ 50033/84-1995 半导体分立器件 ｃｓ１４０型硅ｎ沟道ｍｏｓ耗尽型场效应晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type CS140 silicon N-channel MOS enhancement mode field-effect transistor |
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SJ 50033/83-1995 半导体分立器件 ｃｓ１３９型硅ｐ沟道ｍｏｓ增强型场效应晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type CS139 silicon P-channel MOS enhancement mode field-effect transistor |
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SJ 50033/73-1995 半导体分立器件 ｑｌ７４型硅单相桥式整流器详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type QL74 silicon single phase bridge rectifier |
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SJ 20486-1995 镉镍全密封碱性单体蓄电池总规范（中英文版） Nickel-cadmium alkaline rechargeable cells, hermetically sealed, general specification for |
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SJ 20476-1995 过电压保护气体放电管总规范（中英文版） General specification for gas discharge tubes for overvoltage protection |
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SJ 20476.2-1995 R2100型高能点火气体放电管详细规范（中英文版） Detail specification for gas discharge tubes for high energy ignition of type R2100 |
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SJ 50033/85-1995 半导体分立器件 ｃｓ１４１型硅ｎ沟道ｍｏｓ耗尽型场效应晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type CS141 silicon N-channel MOS enhancement mode field-effect transistor |
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GY 117-1995 12.65毫米(1/2英寸)模拟分量电视节目磁带的录制和交换规范（中英文版） Recording and exchange specifications for tapes of 12. 65 mm (1/2 inch) analog vector TV programs |
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GB/T 15462-1995 电子设备用机电开关 第3-1部分:成列直插封装式开关 空白详细规范（中英文版） Electromechanical switches for use in electronic equipments--Part 3-1:Blank detail specification for in-line package switches |
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GB/T 15461-1995 电子设备用机电开关 第3部分:成列直插封装式开关分规范（中英文版） Electromechanicalswitches for use in electronic equipments--Part 3:Sectional specification for in-line package switches |
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