中華人民共和國國家標準(中國大陸GB標準)英文版 |
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GB標準是中華人民共和國國家標準，也叫GB國標，是中國大陸強制執行的國家標準，所有中國大陸境內銷售的商品及提供服務都必須符合GB國家標準的要求，包括進口商品及服務； 本網站提供GB國家標準的查詢檢索，英文版翻譯，GB標準產品檢測檢驗及合規性分析服務； |
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SJ 20521-1995 军用便携式计算机通用规范（中英文版） Specification for military alumina powders |
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SJ 51931.1-1995 r2kx h6x3.6x5型环形磁芯详细规范（中英文版） Detail specification for type R2kX H6×3. 6×5 toroidal cores |
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SJ 50033/68-1995 半导体分立器件 ｂｔ５１型ｎｐｎ硅小功率差分对晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type BT51 NPN silicon small power difference matchen -- Pair transistor |
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SJ 50033/69-1995 半导体分立器件 ｐｉｎ３０系列ｐｉｎ二极管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type PIN 30 series for PIN diode |
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SJ 50033/70-1995 半导体分立器件 ｐｉｎ３５系列ｐｉｎ二极管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type PIN35 series for PIN diode |
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SJ 50033/83-1995 半导体分立器件 ｃｓ１３９型硅ｐ沟道ｍｏｓ增强型场效应晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type CS139 silicon P-channel MOS enhancement mode field-effect transistor |
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SJ 50033/72-1995 半导体分立器件 ｐｉｎ３２３型ｐｉｎ二极管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type PIN323 series for PIN diode |
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SJ 50033/82-1995 半导体分立器件 ３ｄｋ１００型ｎｐｎ硅小功率开关晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type 3DK100 NPN silicon low-power switching transistor |
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SJ 50033/74-1995 半导体分立器件 ３ｄａ３２５型硅微波功率晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type 3DA325 silicon microwave power tansistor |
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SJ 50033/75-1995 半导体分立器件 ３ｄｇ１３５型硅超高频小功率晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type 3DG135 Silicon ultra high frequency low-power tansistor |
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SJ 50033/76-1995 半导体分立器件 ３ｄｇ２１８型硅微波低噪声晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 3DG218 Silicon microwave low-noise tansistor |
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SJ 50033/77-1995 半导体分立器件 ３ｄａ３３１型硅微波功率晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 3DA331 Silicon microwave power tansistor |
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SJ 50033/79-1995 半导体分立器件 ｃｓ０５３６型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete devices. Detail specification for type CS0536 GaAs microwave power FET |
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SJ 20518-1995 压电器件用五氧化二钽薄膜规范（中英文版） Specification for Ta2O5 films for use in piezoelectric devices |
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SJ 50033/71-1995 半导体分立器件 ｐｉｎ３４２型ｐｉｎ二极管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device Detail specification for type PIN342 series for PIN diode |
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SJ 50033/59-1995 半导体分立器件 ３ｄｋ３９型功率开关晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type 3DK39 power switching transistor |
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SJ/T 10619-1995 电子器件详细规范 功率型固定电阻器 ｒｙｇ２型金属氧化膜电阻器 评定水平ｅ（中英文版） Detail specification for electronic components Fixed power resistors Type RYG2 metal oxide film resistors Assessment level E |
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SJ/T 10612.4-1995 ３０ｍｈｚ～１ｇｈｚ声音和电视广播接收天线 第４部分：天线性能规范的编制导则详细规范表格式（中英文版） Aerials for the reception of sound and television broadcasting in the frequency range 30MHz to 1GHz. Part 4: Guide for the preparation of aerial performance specification detailed specification sheet format |
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SJ/T 10617-1995 电子器件详细规范 低功率非线绕固定电阻器 ｒｔ１３型碳膜固定电阻器 评定水平ｅ（中英文版） Detail specification for electronic components Fixed low-power non-wirwound fixed resistors Type RT13 carbon film fixed resistors Assessment level E |
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SJ/T 10618-1995 电子器件详细规范 功率型固定电阻器 ｒｙｇ１型金属氧化膜电阻器 评定水平ｅ（中英文版） Detail specification for electronic components Fixed power resistors Type RYG1 metal oxide film resistors Assessment level E |
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